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Samsung  |  SKU / VareNr.: 993957106 | SSD

Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW 1 TB M.2 PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

Normaler Preis 4.349 kr
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Hurtige facts:
FORMFAKTOR M.2 2280
INTERFACE NVMe
KAPACITET 1000

Beschreibung

Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW 1 TB M.2 PCI Express 3.0 x4 (NVMe) – Blitzschnelle Leistung und beeindruckende Kapazität!

Mit der Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW erhalten Sie eine erstklassige Speicherlösung für Ihren Computer. Diese M.2 SSD bietet dank der PCI Express 3.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle eine unglaublich hohe Leistung und gewährleistet blitzschnelle Datenübertragungen sowie einen schnellen Zugriff auf Ihre Dateien und Programme.

Mit einer beeindruckenden Speicherkapazität von 1 TB bietet Ihnen die Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW reichlich Platz für all Ihre wichtigen Dateien, Dokumente, Fotos und Spiele. Sie müssen sich keine Sorgen mehr um Speicherplatzmangel machen, denn sie bietet Ihnen genügend Speicherkapazität für Ihre Bedürfnisse.

Die Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW ist mit Samsungs bewährter V-NAND-Technologie ausgestattet und garantiert so zuverlässige und dauerhafte Leistung. Ihre Daten sind geschützt und sicher gespeichert.

Die Installation der Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW ist einfach und problemlos. Sie passt perfekt in einen M.2-Steckplatz Ihres Computers, und Sie können sofort die unglaublichen Geschwindigkeiten und die verbesserte Leistung genießen.

Mit Samsungs fortschrittlicher Magician-Software können Sie Ihre SSD einfach überwachen und optimieren. Sie können die Firmware aktualisieren, die Leistung überwachen und Funktionen wie TRIM aktivieren, um einen optimalen Betrieb Ihrer SSD sicherzustellen.

Die Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW ist die ideale Lösung für Gamer, Kreativprofis und alle, die schnellen und zuverlässigen Speicher benötigen. Rüsten Sie Ihren Computer mit der Samsung 970 EVO SSD MZ-V7S1T0BW 1 TB M.2 PCI Express 3.0 x4 (NVMe) auf und erleben Sie revolutionäre Leistung.

Allgemein
Gerätetyp Solid-State-Laufwerk - intern
Kapazität 1 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp Dreischichtige Zelle (TLC)
Modell M.2 2280
Schnittstelle PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puffergröße 1 GB
Eigenschaften TRIM-Unterstützung, automatischer Speicherbereinigungsalgorithmus, dynamischer Überhitzungsschutz, TurboWrite-Technologie, V-NAND-Technologie, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, SMART
Breite 22,15 mm
Tiefe 80,15 mm
Höhe 2,38 mm
Gewicht 8 g
Leistung
SSD-Ausdauer 600 TB
Interne Datenrate 3500 MB/s (Lesen) / 3300 MB/s (Schreiben)
4 KB zufällig gelesen 19000 IOPS
4 KB zufälliger Schreibvorgang 60000 IOPS
Maximal 4 KB zufälliger Schreibvorgang 550000 IOPS
Maximal 4 KB zufällig gelesen 600000 IOPS
Betriebssicherheit
MTBF (mittlere Zeit zwischen Ausfällen) 1.500.000 Stunden
Erweiterung und Verbindung
Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2-Karte
Kompatible Kabine M.2 2280
Wirkung
Stromverbrauch 6 Watt (durchschnittlich)
9 Watt (maximal)
30 mW (maximal frei)
Verschiedenes
Konformitätsstandards IEEE 1667
Herstellergarantie
Service & Support Beschränkte Garantie – 5 Jahre
Umweltparameter
Mindestbetriebstemperatur 0 °C
Maximale Betriebstemperatur 70 °C
Stoßfestigkeit (betrieblich) 1500 g @ 0,5 ms Halbsinus

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