Beschreibung
Allgemein | |
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Gerätetyp | Solid-State-Laufwerk – intern |
Kapazität | 1 TB |
Hardware-Verschlüsselung | Ja |
Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
NAND-Flash-Speichertyp | Triple-Level-Zelle (TLC) |
Modell | M.2 2280 |
Schnittstelle | PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
Puffergröße | 1 GB |
Eigenschaften | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection-Algorithmus, Dynamic Thermal Guard-Schutz, TurboWrite-Technologie, V-NAND-Technologie, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, SMART |
Breite | 22,15 mm |
Tiefe | 80,15 mm |
Höhe | 2,38 mm |
Gewicht | 8 g |
Leistung | |
SSD-Ausdauer | 600 TB |
Interne Datenrate | 3500 MBit/s (Lesen) / 3300 MBit/s (Schreiben) |
4 KB zufälliges Lesen | 19000 IOPS |
4 KB zufälliges Schreiben | 60000 IOPS |
Maximal 4 KB zufälliges Schreiben | 550000 IOPS |
Maximal 4 KB zufälliger Lesevorgang | 600.000 IOPS |
Betriebssicherheit | |
MTBF (erwartete Zeit zwischen Ausfällen) | 1.500.000 Stunden |
Erweiterung und Verbindung | |
Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) – M.2-Karte |
Kompatibler Stand | M.2 2280 |
Wirkung | |
Energieverbrauch | 6 Watt (durchschnittlich) 9 Watt (maximal) 30 mW (maximal verfügbar) |
Sonstig | |
Compliance-Standards | IEEE 1667 |
Herstellergarantie | |
Service-Unterstützung | Begrenzte Garantie – 5 Jahre |
Umgebungsparameter | |
Mine. Betriebstemperatur | 0 °C |
Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
Schlagfestigkeit (im Betrieb) | 1500 g bei 0,5 ms Halbsinus |