Allgemein
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Solid-State-Laufwerk – intern |
2 TB |
Ja |
256-Bit-AES |
Triple-Level-Zelle (TLC) |
M.2 2280 |
PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
2 GB |
RAPID-Modus-Unterstützung, V-NAND-Technologie, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller |
22,15 mm |
80,15 mm |
2,38 mm |
8 g |
Leistung
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1200 TB |
3500 MBit/s (Lesen) / 3300 MBit/s (Schreiben) |
19000 IOPS |
60000 IOPS |
560000 IOPS |
620000 IOPS |
Erweiterung und Verbindung
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PCI Express 3.0 x4 (NVMe) – M.2-Karte |
M.2 2280 |
Sonstig
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IEEE 1667 |
Herstellergarantie
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Begrenzte Garantie – 5 Jahre |